? Samsung inicia a produção em massa de 10 nanômetros DRAM classe

Samsung iniciou a produção em massa de 10 nanômetros classe 8 Gigabit (Gb) Double Data Rate 4 (DDR4) DRAM, a empresa anunciou, depois de ter começado a produzir o chip de memória em fevereiro.

A empresa não revelou os tamanhos precisos, mas uma fonte familiarizada com o assunto disse ao site que é de 18 nanômetros e foi enviado aos clientes.

Possui uma taxa de transferência de de 3.200 megabits por segundo e é otimizado para uso para os clientes corporativos, disse a empresa.

Samsung, maior fabricante mundial de chips de memória, é o primeiro entre os rivais Hynix e Micron para fazer uma DRAM na classe de 10 nanômetros. Ele disse que costumava Técnica Padronização Quádruplo, usado pela primeira vez para NAND flashes, na DRAM.

células NAND flash requerem apenas um transistor, mas DRAM requer um capacitor no topo do transistor por célula, exigindo tanto para ser integrado menor.

Samsung disse que, graças à sua tecnologia de integração muito grande escala, os novos dados processos de DRAM de 30 por cento mais rápido e usa 20 por cento menos energia do que anterior classe 20 nanômetros 8GB DDR4 DRAM. Samsung começou a produzir a classe DRAM 20 nanômetros em 2014.

A companhia disse que está a produzir-los para o PC e servidores, e irá revelar o DRAM por algum móvel ainda este ano. Seus próprios telefones emblemáticas e os de outros clientes que estão previsto para ser lançado no Outono deste ano provavelmente irá obter os chips.

A empresa provavelmente vai apontar para escalar ainda mais para baixo o tamanho de sua DRAM para início e meados de classe de 10 nanômetros vai para a frente.

Hynix ea Micron estão desenvolvendo sua própria classe DRAM 10 nanômetros e provavelmente vai comercializá-las no final deste ano.

A partir do quarto trimestre do ano passado, a empresa detinha uma quota de 46,4 por cento em DRAM, seguido por 27,9 por cento da Hynix e 18,9 por cento da Micron mercado, de acordo com statista.

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